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晶体管
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IRG4PH30KPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥27.8884
27.8884
10
¥23.7413
237.413
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.5151
4878.775
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540542
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PH30KPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
XP152A11E5MR-G
Torex Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, -30V, 0.7A, P-Type, SOT-23
1:¥5.537
10:¥4.2827
100:¥3.2544
500:¥2.7685
3,000:¥1.9549
9,000:查看
参考库存:34064
TPH6R004PL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
3,000:¥2.3504
9,000:¥2.2713
24,000:¥2.1809
参考库存:34069
BUK9219-55A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
参考库存:34074
MPSA43
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sm Signal
20,000:¥0.89157
25,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:34079
FCPF360N65S3R0L
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8817
参考库存:34084

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