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VS-GB400AH120U

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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库存：34,515(价格仅供参考)
数量单价合计
12
¥1,267.0125
15204.15
36
¥1,249.2602
44973.3672
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
在25 C的连续集电极电流
550 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.841 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB400AH120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB28NM60ND
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
1:¥51.0986
10:¥46.1831
25:¥44.0248
100:¥38.2618
1,000:¥28.9732
2,000:查看
参考库存:9145
JANTX2N4261/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥366.4477
250:¥342.0171
参考库存:33302
JANSR2N3440
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,585.4352
参考库存:33307
JANTX2N5415S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥114.7176
250:¥104.5815
500:¥97.8128
1,000:¥89.7446
参考库存:33312
JANTXV2N4261/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥304.2864
250:¥284.0029
参考库存:33317

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