DTB114ECHZGT116详细信息_DTB114ECHZGT116相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极连续电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB114ECHZG

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDN5632N-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A	1:¥4.5313 10:¥3.7855 100:¥2.3052 1,000:¥1.7854 3,000:¥1.5255	参考库存:33985
STD80N4F6	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate	1:¥12.9046 10:¥10.9836 100:¥8.7575 500:¥7.6727 2,500:¥5.9212 5,000:查看	参考库存:7862
ECH8695R-TL-W	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	1:¥3.4578 10:¥2.9154 100:¥1.7854 1,000:¥1.3786 3,000:¥1.1752	参考库存:77684
FDP100N10	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-Channel PowerTrench	1:¥19.0518 10:¥16.1364 100:¥12.9046 500:¥11.3678 1,000:¥9.379	参考库存:9001
FDD5N60NZTM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel 600V 4A	1:¥8.1473 10:¥6.9947 100:¥5.3788 500:¥4.7573 1,000:¥3.7516 2,500:¥3.7516	参考库存:21698