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晶体管
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STD80N4F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
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数量单价合计
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10
¥10.9836
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100
¥8.7575
875.75
500
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3836.35
2,500
¥5.9212
14803
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD80N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46.1 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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