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晶体管
FDN5632N-F085参考图片

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FDN5632N-F085

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库存:33,985(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7855
37.855
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.7854
1785.4
3,000
¥1.5255
4576.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
98 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN5632N_F085
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
1.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.2 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FDN5632N_F085
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN5632N-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
1,000:¥12.7577
2,000:查看
参考库存:8084
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.8024
参考库存:28476
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:15398
晶体管
MOSFET 240V 15Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:24595
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥73.5404
10:¥66.4666
25:¥63.3139
100:¥55.0197
参考库存:3437
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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