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晶体管
MJD47T4参考图片

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MJD47T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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库存:71,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2488
42.488
100
¥2.7459
274.59
1,000
¥2.1922
2192.2
2,500
¥1.8532
4633
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD47
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,MJD47T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
1,000:¥13.447
2,000:查看
参考库存:11492
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
1:¥51.4037
10:¥46.4882
25:¥44.3412
100:¥38.4991
参考库存:4899
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:69121
晶体管
MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:28043
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:9230
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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