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晶体管
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TN2124K1-G

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库存:24,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.8364
48.364
25
¥4.1132
102.83
100
¥3.7177
371.77
3,000
¥2.3617
7085.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
134 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
1.3 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,TN2124K1-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:142883
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
1:¥799.5993
5:¥784.9206
10:¥749.5742
25:¥724.6012
参考库存:3200
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:21757
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
1:¥812.0406
5:¥796.2884
10:¥770.0159
25:¥737.438
50:¥727.2906
参考库存:1974
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1981
5,000:¥5.3449
10,000:查看
参考库存:6221
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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