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晶体管
SQV120N10-3M8_GE3参考图片

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SQV120N10-3M8_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
  • 数据手册下载
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库存:7,132(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.4306
24.4306
10
¥20.2044
202.044
100
¥16.6788
1667.88
250
¥16.1364
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
190 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
高度
9.65 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.83 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SQV120N10-3M8_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
100:¥46.8724
300:¥43.7988
500:¥40.9512
1,000:¥38.2618
2,500:¥35.9566
参考库存:5315
晶体管
MOSFET P-Chan -20V -680mA
1:¥3.3787
10:¥2.1922
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:95767
晶体管
MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7628
参考库存:33664
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:75301
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
参考库存:7458
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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