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晶体管
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BUL1102EFP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
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数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.2094
72.094
100
¥5.537
553.7
500
¥4.8929
2446.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL1102E
高度
16.4 mm
长度
10.4 mm
封装
Tube
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.565 g
商品其它信息
优势价格，BUL1102EFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQD5N50CTM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET TBD
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4071
500:¥5.6613
2,500:¥3.9663
10,000:查看
参考库存:4385
PBLS4002Y,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:18117
QS6K1TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.921
3,000:¥1.921
参考库存:32714
6PS04512E43W39693
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥58,042.6308
参考库存:2796
TSM5NC50CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 500V, 5Amp, 1,38ohm N channel Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥3.4126
2,500:¥2.4069
5,000:查看
参考库存:27623

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    50万现货SKU

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