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晶体管
DMN1004UFDF-13参考图片

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DMN1004UFDF-13

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库存:38,328(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2092
32.092
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5142
1514.2
2,500
¥1.2882
3220.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.7 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.6 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格,DMN1004UFDF-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:36440
晶体管
MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:20995
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:425997
晶体管
MOSFET T8 60V LOW COSS
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
1,000:¥6.0907
1,500:¥6.0907
参考库存:36449
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:36454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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