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晶体管
RCX200N20参考图片

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RCX200N20

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:5,067(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.215
621.5
500
¥5.4918
2745.9
1,000
¥4.3392
4339.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.23 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.8 mm
长度
15.4 mm
产品
MOSFET
系列
RCX200N20
晶体管类型
1 N-channel
类型
Power MOSFET
宽度
10.3 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
RCX200N20
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,RCX200N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 10K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:56901
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.4522
10:¥3.6725
100:¥2.373
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.8984
参考库存:37353
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
10,000:¥0.49155
20,000:¥0.46104
参考库存:37358
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.4465
100:¥2.5538
500:¥2.1018
3,000:¥1.4803
6,000:查看
参考库存:37363
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.2207
10:¥6.215
100:¥4.7686
500:¥4.2149
1,000:¥3.3335
参考库存:16918
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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