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晶体管
UF3C065080K4S参考图片

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UF3C065080K4S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 650V 80m? SiC Cascode Fast
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数量单价合计
1
¥179.3423
179.3423
5
¥171.2741
856.3705
10
¥165.9744
1659.744
25
¥152.5274
3813.185
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UF3C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
UnitedSiC
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
优势价格，UF3C065080K4S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
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100:¥82.7612
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100:¥124.4808
250:¥113.4972
500:¥106.1974
参考库存:35942

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