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晶体管
BSC076N06NS3 G参考图片

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BSC076N06NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存：30,473(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.2885
72.885
100
¥5.6048
560.48
500
¥4.9494
2474.7
1,000
¥3.9098
3909.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSC076N06NS3GATMA1 BSC76N6NS3GXT SP000453656
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC076N06NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3K337R,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Channel Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:29769
VRF152
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥566.0057
2:¥554.8639
5:¥548.7958
10:¥531.5746
参考库存:2681
FQT4N20LTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V Single
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
4,000:¥1.5368
参考库存:22858
MMBT3904FA-7B
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
2,500:¥0.7458
10,000:¥0.69947
参考库存:38645
2SK3557-7-TB-E
ON Semiconductor
晶体管
JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:31407

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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