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晶体管
BFP 520F H6327参考图片

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BFP 520F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP520
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP520FH6327XTSA1 BFP52FH6327XT SP000745282
商品其它信息
优势价格,BFP 520F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
5,000:查看
参考库存:17703
晶体管
MOSFET 12V single P-channel MOSFET
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥1.7402
参考库存:29775
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,3mW PNP Transistor
1:¥1.3108
10:¥1.1526
100:¥0.7684
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.2147
参考库存:65210
晶体管
MOSFET NX138BK/TO-236AB/REEL 11" Q3/T
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.1695
100,000:¥0.13786
参考库存:29782
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:19202
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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