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晶体管
RGT8BM65DTL参考图片

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RGT8BM65DTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
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库存:17,703(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.3733
4186.65
2,500
¥6.441
16102.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
62 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT8BM65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
4 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT8BM65D
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,RGT8BM65DTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥25.2781
10:¥21.4361
100:¥18.5998
250:¥17.6732
参考库存:23161
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥3.6838
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:23166
晶体管
MOSFET N-Channel Mosfet 250V, 6A, 10V gate drive
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:23171
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR SMTSST
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:23176
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥50.0251
10:¥45.0305
25:¥41.0303
50:¥38.0358
参考库存:23181
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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