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晶体管
RGT8BM65DTL参考图片

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RGT8BM65DTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
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库存:17,703(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.3733
4186.65
2,500
¥6.441
16102.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
62 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT8BM65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
4 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT8BM65D
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,RGT8BM65DTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847AQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:44327
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:29279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.71416
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.36838
参考库存:68971
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥36.1939
10:¥30.736
100:¥26.668
250:¥25.2781
500:¥22.6678
参考库存:4588
晶体管
MOSFET Synch Buck NexFET Power Block
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.1418
2,500:¥8.6106
5,000:查看
参考库存:23315
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    50万现货SKU

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