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晶体管
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RQ3E120ATTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -30V -12A Middle Power MOSFET
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库存：10,819(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.808
1808
3,000
¥1.5481
4644.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
39 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
62 nC
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.4 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
RQ3E120AT
商品其它信息
优势价格，RQ3E120ATTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RXH125N03TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RS3E135BNGZETB
2,500:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
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TSM60NB600CH C5G
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15,000:¥4.3844
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参考库存:33820
BUK7C1R4-40EJ
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暂无价格
参考库存:33825
MAAM-009455-TR3000
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3,000:¥49.7878
参考库存:33830

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