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晶体管
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ZTX853

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.667
66.67
100
¥5.1302
513.02
500
¥4.5313
2265.65
1,000
¥3.5708
3570.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
160 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX853
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF460AG
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:1861
MUN5131T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:156418
IMD9AT108
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:8675
RQ5L015SPTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:92627
DTD113EKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:16604

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