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晶体管
IPD85P04P407ATMA1参考图片

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IPD85P04P407ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
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库存：8,128(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4918
2745.9
2,500
¥3.842
9605
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD85P04
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPD85P04P4-07 IPD85P4P47XT SP000842066
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD85P04P407ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP8N80C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:12552
NTMFS4845NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
1,000:¥3.9098
1,500:¥3.4691
参考库存:19059
IRLR8743TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,000:¥4.407
参考库存:73486
IRFU6215PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.4127
参考库存:35323
IRLS4030TRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2044
250:¥19.21
500:¥17.2099
800:¥17.2099
参考库存:20485

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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