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晶体管
STD9N60M2参考图片

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STD9N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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库存：6,129(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.5258
752.58
500
¥6.6444
3322.2
2,500
¥4.6556
11639
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
780 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD9N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD9N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP42N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
1:¥85.7557
10:¥77.2242
25:¥70.3086
100:¥63.393
参考库存:9938
SPD08P06PGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:26690
2N5152L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥113.4972
250:¥103.5758
500:¥93.2024
1,000:¥86.5241
参考库存:34097
2N5661
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥152.6856
250:¥140.233
500:¥129.1703
参考库存:34102
2N6989U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥390.8896
200:¥369.058
参考库存:34107

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