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晶体管
DMG7N65SCTI参考图片

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DMG7N65SCTI

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.4015
74.015
100
¥5.6839
568.39
500
¥5.0285
2514.25
1,000
¥3.9663
3966.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.700 g
商品其它信息
优势价格，DMG7N65SCTI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FJV1845PMTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:90788
ZXMN2A14FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N Channel
1:¥4.3844
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:32040
PMBT4401,185
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMBT4401/TO-236AB/MULTI-REEL 7
30,000:¥0.13108
60,000:¥0.11526
90,000:¥0.09944
参考库存:26612
FF225R12ME4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 225A 1200V
1:¥896.3386
5:¥878.7445
10:¥837.782
参考库存:2077
IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
参考库存:9549

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