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VS-GA200TH60S

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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库存：36,238(价格仅供参考)
数量单价合计
12
¥2,773.8449
33286.1388
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
260 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.042 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GA200TH60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK6D120-60PX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
参考库存:11330
TK49N65W,S1F(S
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
1:¥88.0609
10:¥79.2243
25:¥72.2296
100:¥65.1558
参考库存:32582
BLV11
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:32587
NVMFD5C466NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,500:¥3.7177
9,000:查看
参考库存:32592
DMP3028LPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.8476
参考库存:14272

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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