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晶体管
STP9N60M2参考图片

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STP9N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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库存:5,131(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4354
3717.7
1,000
¥6.1585
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
780 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP9N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP9N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.5997
250:¥15.9782
参考库存:32466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
参考库存:12683
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.6787
10:¥13.3679
100:¥10.8367
500:¥8.5315
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:200720
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:57692
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:17849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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