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DMP2008UFG-13

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数量单价合计
3,000
¥1.4803
4440.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMP2008
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
124 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
291 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
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    50万现货SKU

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