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晶体管
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STD12NF06LT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
系列
STD12NF06LT4
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD12NF06LT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFSL7430PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:6677
PMCM6501VPEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
4,500:¥1.6046
9,000:查看
参考库存:21844
BD678AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
参考库存:9211
SQM70060EL_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:6078
IRFR9010PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
参考库存:17240

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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