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晶体管
IGZ100N65H5XKSA1参考图片

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IGZ100N65H5XKSA1

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数量单价合计
1
¥53.4038
53.4038
10
¥48.251
482.51
25
¥46.0249
1150.6225
100
¥39.9568
3995.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
161 A
Pd-功率耗散
536 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGZ100N65H5 SP001160058
单位重量
6.165 g
商品其它信息
优势价格，IGZ100N65H5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFSL7430PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:6677
PMCM6501VPEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
4,500:¥1.6046
9,000:查看
参考库存:21844
BD678AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
参考库存:9211
SQM70060EL_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:6078
IRFR9010PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
参考库存:17240

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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