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晶体管
IPP12CN10L G参考图片

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IPP12CN10L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2
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库存：7,613(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6501
3825.05
1,000
¥6.3393
6339.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
69 A
Rds On-漏源导通电阻
9.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
57 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN1LGXK SP000680864
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP12CN10L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK1K9A60F,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
1:¥6.9947
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
参考库存:7131
SQ3469EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:14893
SMMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
晶体管
JFET SS SOT23 JFET PCH 30
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:22290
AUIRFS8409TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
500:¥21.5943
800:¥21.5943
参考库存:8367
NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:23474

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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