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晶体管
IKD10N60RATMA1参考图片

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IKD10N60RATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
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库存:10,334(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2885
3644.25
2,500
¥5.6274
14068.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD10N60R SP000964630
单位重量
333.400 mg
商品其它信息
优势价格,IKD10N60RATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
3,000:¥5.5709
参考库存:29381
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:108791
晶体管
JFET N-Ch JFET -35V -3Vds 50mA 360mW 3.27mW
1:¥25.4363
10:¥20.4417
100:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:6958
晶体管
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.4578
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1526
参考库存:29390
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:19825
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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