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晶体管
IPB65R110CFDA参考图片

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IPB65R110CFDA

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库存:5,289(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥43.1095
431.095
25
¥41.1094
1027.735
100
¥35.6515
3565.15
1,000
¥27.0522
27052.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.2 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R11CFDAXT SP000896402
商品其它信息
优势价格,IPB65R110CFDA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥21.0519
10:¥17.515
100:¥13.5261
500:¥11.9102
1,000:¥11.30
3,000:¥11.30
参考库存:20384
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:9901
晶体管
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:108548
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
参考库存:12355
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.379
10:¥7.6049
100:¥5.8986
500:¥5.0624
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:43277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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