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晶体管
SIR880DP-T1-GE3参考图片

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SIR880DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：20,384(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.515
175.15
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.9102
5955.1
1,000
¥11.30
11300
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
64 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIR880DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR880DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDN5632N-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
1:¥4.5313
10:¥3.7855
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.5255
参考库存:33985
STD80N4F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
2,500:¥5.9212
5,000:查看
参考库存:7862
ECH8695R-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:77684
FDP100N10
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
1,000:¥9.379
参考库存:9001
FDD5N60NZTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Channel 600V 4A
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3788
500:¥4.7573
1,000:¥3.7516
2,500:¥3.7516
参考库存:21698

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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