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晶体管
DZT658-13参考图片

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DZT658-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W
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库存：38,382(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,500
¥1.3334
3333.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DZT658
直流电流增益 hFE 最大值
50 at 1 mA, 5 V
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 200 mA, 10 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，DZT658-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4300
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
2,000:¥35.1882
参考库存:35150
DMN1008UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.87575
参考库存:35155
MG12225WB-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 225A Dual
60:¥962.2628
参考库存:35160
MMRF1006HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:35165
NVMFS5C456NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.4521
10,000:¥2.3617
25,000:¥2.2713
参考库存:35170

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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