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晶体管
PGA26E07BA参考图片

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PGA26E07BA

  • Panasonic
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN
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库存:4,120(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥272.2396
272.2396
10
¥257.1089
2571.089
25
¥241.9669
6049.1725
200
¥241.9669
48393.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
商标名
X-GaN
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
PGA26E07BA
商标
Panasonic
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
200
子类别
MOSFETs
零件号别名
PGA26E07BA2
商品其它信息
优势价格,PGA26E07BA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
4,000:¥1.3334
参考库存:26268
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 NPN GP AMP
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:105770
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
1,500:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3617
参考库存:30842
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:10277
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:50279
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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