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晶体管
2N6667G参考图片

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2N6667G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power PNP
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库存:8,115(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5483
55.483
100
¥4.2601
426.01
500
¥3.7629
1881.45
1,000
¥2.9719
2971.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
1000 uA
Pd-功率耗散
65 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6667
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
20000
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,2N6667G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.3732
10:¥5.3336
100:¥3.4465
1,000:¥2.7572
5,000:¥2.7572
参考库存:49399
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms
1:¥15.0629
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
参考库存:11576
晶体管
MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
3,000:¥3.1188
9,000:查看
参考库存:50218
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 1A
1:¥4.7686
10:¥3.9889
100:¥2.5764
1,000:¥2.0566
2,000:¥1.7402
参考库存:26775
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,500:¥8.8366
4,500:查看
参考库存:17172
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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