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晶体管
BSC093N04LSGATMA1参考图片

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BSC093N04LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3336
53.336
100
¥3.4465
344.65
1,000
¥2.7572
2757.2
5,000
¥2.7572
13786
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
49 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
3.6 ns
零件号别名
BSC093N04LS BSC93N4LSGXT G SP000387929
单位重量
363 mg
商品其它信息
优势价格，BSC093N04LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB65R110CFD
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
1,000:¥23.052
参考库存:4139
FJAF4210YTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:4256
APTGT150DA60T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥365.4533
5:¥354.3906
10:¥344.0172
25:¥322.502
参考库存:46175
DTC113ZUAT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:31773
CMST5087 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSM Transistor
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.9379
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.5989
参考库存:77730

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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