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晶体管
DXT3906-13参考图片

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DXT3906-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000mW -40Vceo
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 400 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DXT3906
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at - 100 mA, - 1 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，DXT3906-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4871
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥17.7523
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:14729
STP120N4F6
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晶体管
MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:9551
STP10NM60ND
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
参考库存:9553
ALD310702PAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
暂无价格
参考库存:33710
ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥26.3516
100:¥24.6679
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:33715

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