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晶体管
DMN2004TK-7参考图片

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DMN2004TK-7

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库存:83,442(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.8928
28.928
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.1752
1175.2
3,000
¥1.01474
3044.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
540 mA
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN2004
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2004TK-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET
1:¥3.2996
10:¥2.1018
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.46895
24,000:查看
参考库存:128765
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:103317
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:30224
晶体管
达林顿晶体管 40V 300mW
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:77186
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 600mA 40V
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:6713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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