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晶体管
NTUD3169CZT5G参考图片

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NTUD3169CZT5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V Mosfet Complementary
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库存:70,390(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7911
27.911
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.12209
2805.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
280 mA, 200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms, 10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V, - 1.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.37 mm
长度
1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTUD3169CZ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
Small Signal MOSFET
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.48 S, 0.35 S
下降时间
80 ns, 145 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25.5 ns, 46 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
142 ns, 196 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns, 26 ns
单位重量
1.190 mg
商品其它信息
优势价格,NTUD3169CZT5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 100V
1:¥10.5994
10:¥8.6784
100:¥6.667
500:¥5.7291
1,000:¥4.52
参考库存:6890
晶体管
MOSFET TO-262
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:9917
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.3391
参考库存:92174
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
800:¥7.3789
参考库存:58546
晶体管
IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
1:¥37.7307
10:¥32.0468
100:¥27.7415
250:¥26.3516
500:¥23.6622
参考库存:3658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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