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晶体管
MUN5115DW1T1G参考图片

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MUN5115DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual PNP
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库存:63,839(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.3108
13.108
100
¥0.5537
55.37
1,000
¥0.37629
376.29
3,000
¥0.29154
874.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
250 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5115DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格,MUN5115DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
1:¥19.8993
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:15792
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:3949
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.2837
参考库存:9796
晶体管
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:108033
晶体管
MOSFET -20V -5.4A P-Channel
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥1.8758
参考库存:73765
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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