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晶体管
NTMS5P02R2G参考图片

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NTMS5P02R2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -20V -5.4A P-Channel
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库存:73,765(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
2,500
¥1.8758
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
NTMS5P02
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
90 ns, 55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns, 25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns, 70 ns
典型接通延迟时间
22 ns, 18 ns
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,NTMS5P02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
参考库存:6377
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:6779
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:18381
晶体管
IGBT 模块 1700V 600A F/DIODE
1:¥1,474.6387
5:¥1,439.1341
10:¥1,403.4035
25:¥1,383.7302
参考库存:5923
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.5764
1,000:¥2.0566
2,500:¥2.0566
参考库存:18385
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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