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晶体管
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2N5306

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库存:33,431(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.2488
42.488
100
¥2.9493
294.93
1,000
¥2.1922
2192.2
2,500
¥1.9549
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
25 V
最大直流电集电极电流
0.3 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
625 mW
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5306
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
1.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
7000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5306 PBFREE
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N5306的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,000:¥3.9324
参考库存:35899
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥25.2781
10:¥20.905
100:¥17.2099
250:¥16.6788
参考库存:3731
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms
1:¥19.5942
10:¥16.6788
100:¥13.2888
500:¥11.6842
4,800:¥8.6106
9,600:查看
参考库存:25108
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,590.7462
5:¥1,557.1626
10:¥1,523.579
25:¥1,485.0912
50:¥1,446.5921
参考库存:1930
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2153
1,000:¥10.1474
参考库存:25987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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