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晶体管
SUP90142E-GE3参考图片

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SUP90142E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥20.905
209.05
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.6788
4169.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
63 S
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
125 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SUP90142E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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3,000:¥0.5989
9,000:¥0.54579
24,000:¥0.50737
45,000:¥0.46104
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