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晶体管
ZXTN5551GTA参考图片

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ZXTN5551GTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 160V 600mA NPN
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库存:10,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,000
¥1.11418
2228.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN5551
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTN5551GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 115mA N-Channel
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6427149
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:31346
晶体管
MOSFET PNP/NMOS
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:18523
晶体管
MOSFET 60V 300A 1.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
800:¥20.4417
2,400:查看
参考库存:4700
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥42.036
10:¥34.804
100:¥28.6568
250:¥27.7415
500:¥24.8939
参考库存:5987
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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