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晶体管
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2SCR523EBTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose Amplification Transistor
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.52997
529.97
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
EMT-3F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
350 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SCR523EB
直流电流增益 hFE 最大值
560 at 1 mA, 6 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SCR523EB
商品其它信息
优势价格,2SCR523EBTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6V, 10uA
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45,000:¥0.31527
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500:¥34.0356
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2,500:¥9.2999
5,000:¥8.9948
10,000:¥8.6106
参考库存:30184
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    50万现货SKU

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