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晶体管
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IKW40N65ES5

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库存：4,971(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.2618
38.2618
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.2048
2820.48
250
¥26.7358
6683.95
500
¥23.9786
11989.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
79 A
Pd-功率耗散
230 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 S5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N65ES5XKSA1 SP001319680
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW40N65ES5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP7N80C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.4524
参考库存:6020
DMN61D8LVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
10,000:¥1.1865
参考库存:46976
DMT3011LDT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:17527
STL92N10F7AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22479
SPW11N80C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:9951

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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