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晶体管
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STGWT40H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，STGWT40H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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45,000:¥0.69156
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9,000:¥0.61472
24,000:¥0.5763
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参考库存:29911
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暂无价格
参考库存:29916

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