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晶体管
STGWT40H60DLFB参考图片

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STGWT40H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:30,408(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:5460
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HF LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥6.0681
10:¥5.0172
100:¥3.2318
700:¥2.5877
2,100:¥2.1922
参考库存:4802
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS
1:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
参考库存:8854
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRNSTR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:41656
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.2152
10:¥8.7575
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
5,000:¥4.7008
参考库存:161053
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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