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晶体管
PHE13009,127参考图片

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PHE13009,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS
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数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.0058
300.58
1,000
¥2.4069
2406.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.32 V
最大直流电集电极电流
12 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
9.4 mm
长度
10.3 mm
宽度
4.7 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934055576127
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,PHE13009,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V, N-Ch NexFET Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5313
250:¥4.5313
500:¥4.0002
参考库存:3414
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.03734
参考库存:14886
晶体管
MOSFET PMV280ENEA/SOT23 TO-236AB
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
参考库存:19248
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4125
参考库存:490200
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
1:¥7.5258
10:¥6.6331
100:¥5.1528
500:¥3.8533
1,000:¥3.1188
2,500:¥3.1188
参考库存:250572
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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