SIHP180N60E-GE3详细信息_SIHP180N60E-GE3相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220AB-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	19 A
Rds On-漏源导通电阻	180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	22 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	156 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
系列	E
晶体管类型	1 N-Channel E-Series Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	5.3 S
下降时间	23 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	49 ns
工厂包装数量	1
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	14 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CZT3904 BK	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mA NPN GP	1,750:¥3.2996 2,800:¥2.9267 10,150:¥2.825 25,200:¥2.7233	参考库存:34898
IF1322B-TR	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Ch Matched 40mV Dual Trans Reel/1000	1,000:¥99.5869	参考库存:34903
TSM4N90CI C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 900V 4A N Channel Power Mosfet	4,000:¥7.1642 5,000:¥6.9043 10,000:¥6.7574	参考库存:34908
SGD02N60	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A	2,500:¥3.842 10,000:¥3.7064 25,000:¥3.5934	参考库存:34913
IRFR3708TRRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC	3,000:¥4.6104	参考库存:34918