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晶体管
IPP65R065C7参考图片

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IPP65R065C7

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库存:4,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥56.2514
56.2514
10
¥50.7935
507.935
25
¥48.4883
1212.2075
100
¥42.1038
4210.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
171 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP65R065C7XKSA1 SP001080100
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IPP65R065C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8+ TECH. 30V DUAL N-CHA
1:¥6.9947
10:¥6.0116
100:¥4.6217
500:¥4.0793
3,000:¥2.8589
9,000:查看
参考库存:1605
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
5,000:¥2.938
10,000:查看
参考库存:24827
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Low Sat
1:¥7.2207
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
1,000:¥3.3222
2,000:¥3.3222
参考库存:15044
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥8.9948
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.2093
2,500:¥3.6499
10,000:查看
参考库存:6671
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.4579
100:¥3.5143
1,000:¥2.825
4,000:¥2.825
参考库存:25718
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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