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晶体管
ZXTN2010ASTZ参考图片

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ZXTN2010ASTZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Low Sat
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.2037
62.037
100
¥4.7686
476.86
500
¥4.2149
2107.45
1,000
¥3.3222
3322.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
E-Line-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4.5 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN201
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4.5 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN2010ASTZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
1,000:查看
参考库存:4225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 300mW
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:720562
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥41.8778
10:¥37.4256
100:¥34.0356
250:¥30.736
参考库存:10219
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
8,000:¥1.04525
24,000:查看
参考库存:148961
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:16458
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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