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晶体管
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IRFB4410ZGPBF

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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
97 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
83 nC
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001554600
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFB4410ZGPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003AINE4
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达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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10:¥561.6213
参考库存:2667

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    50万现货SKU

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