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晶体管
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MRF141

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格，MRF141的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMC8327L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
3,000:¥2.4408
参考库存:10478
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:21880
APT46GA90JD40
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥223.9886
5:¥213.9203
10:¥207.242
25:¥190.405
参考库存:4532
SMMUN2213LT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:61079
BD139-10
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
参考库存:11276

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    50万现货SKU

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